Nhà > các sản phẩm > Ký ức > W978H6KBVX1E TR

W978H6KBVX1E TR

nhà sản xuất:
Điện tử Winbond
Mô tả:
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC) Bộ nhớ Bộ nhớ
Kích thước bộ nhớ:
256Mbit
Tình trạng sản phẩm:
Không dành cho thiết kế mới
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
HSUL_12
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
15ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
134-VFBGA (10x11,5)
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
Điện tử Winbond
Tần số đồng hồ:
533 MHz
Điện áp - Cung cấp:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Thời gian truy cập:
5,5 giây
Bao bì / Vỏ:
134-VFBGA
tổ chức bộ nhớ:
16M x 16
Nhiệt độ hoạt động:
-25 °C ~ 85 °C (TC)
Công nghệ:
SDRAM - LPDDR2-S4B di động
Số sản phẩm cơ bản:
W978H6
Định dạng bộ nhớ:
DRAM
Lời giới thiệu
SDRAM - Bộ nhớ di động LPDDR2-S4B IC 256Mbit HSUL_12 533 MHz 5.5 ns 134-VFBGA (10x11.5)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: