W97AH6NBVA1E TR
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Điện tử Winbond
Mô tả:
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Kích thước bộ nhớ:
1Gbit
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
HSUL_12
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
15ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
134-VFBGA (10x11,5)
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
Điện tử Winbond
Tần số đồng hồ:
533 MHz
Điện áp - Cung cấp:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Bao bì / Vỏ:
134-VFBGA
tổ chức bộ nhớ:
64M x 16
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 85°C (TC)
Công nghệ:
SDRAM - LPDDR2-S4B di động
Số sản phẩm cơ bản:
W97AH6
Định dạng bộ nhớ:
DRAM
Lời giới thiệu
SDRAM - Bộ nhớ di động LPDDR2-S4B IC 1Gbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Sản phẩm liên quan
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W94AD2KBJX5E
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W631GG6NB-15
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
W25M512JWEIQ TR
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
W632GU6NB09I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W29N01HZSINA TR
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W25Q80DVSNIG
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
W25Q01NWSFIQ TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
W631GG6NB09I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
W9812G6KH-6 TR
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W25Q16JVSNIM TR
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
W66BM6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
W25Q256JVEIM
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
W9816G6JH-5 TR
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
W25Q128JWPIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
W25R128JWEIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
W971GG8NB-18
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W25N01GVTBIG
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
W25N02KVZEIU
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9412G6KH-5 TR
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
W25Q16JWSSIQ
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
|
|
|
W94AD2KBJX5E |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
|
|
|
|
W631GG6NB-15 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
|
|
|
|
W25M512JWEIQ TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB09I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W29N01HZSINA TR |
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
|
|
|
|
W25Q80DVSNIG |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
W25Q01NWSFIQ TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
|
|
|
W631GG6NB09I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-6 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
|
|
|
|
W25Q16JVSNIM TR |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
W66BM6NBUAFJ TR |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
|
|
|
|
W25Q256JVEIM |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9816G6JH-5 TR |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
|
|
|
|
W25Q128JWPIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W25R128JWEIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
|
|
|
|
W971GG8NB-18 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W25N01GVTBIG |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
|
|
|
|
W25N02KVZEIU |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9412G6KH-5 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
|
|
|
|
W25Q16JWSSIQ |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: