93LC76CT-I/MNY
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Công nghệ vi mạch
Mô tả:
IC EEPROM 8KBIT VI SÓNG 8TDFN
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Kích thước bộ nhớ:
8Kbit
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
Microwire
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
5ms
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
8-TDFN (2x3)
Loại bộ nhớ:
không bay hơi
Mfr:
Công nghệ vi mạch
Tần số đồng hồ:
3MHz
Điện áp - Cung cấp:
2,5V ~ 5,5V
Bao bì / Vỏ:
Tấm tiếp xúc 8-WFDFN
tổ chức bộ nhớ:
1K x 8, 512 x 16
Nhiệt độ hoạt động:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Công nghệ:
EEPROM
Số sản phẩm cơ bản:
93LC76
Định dạng bộ nhớ:
EEPROM
Lời giới thiệu
Bộ nhớ EEPROM IC 8Kbit Microwire 3 MHz 8-TDFN (2x3)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: