70V657S10BFG8
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Renesas Electronics America Inc.
Mô tả:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
song song
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
10ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
208-CABGA (15x15)
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Kích thước bộ nhớ:
1.125Mbit
Điện áp - Cung cấp:
3,15V ~ 3,45V
Thời gian truy cập:
10 giây
Bao bì / Vỏ:
208-LFBGA
tổ chức bộ nhớ:
32K x 36
Nhiệt độ hoạt động:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Công nghệ:
SRAM - Cổng kép, không đồng bộ
Số sản phẩm cơ bản:
70V657
Định dạng bộ nhớ:
SRAM
Lời giới thiệu
SRAM - Cổng kép, bộ nhớ không đồng bộ IC 1.125Mbit song song 10 ns 208-CABGA (15x15)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: