70T3319S200BC8
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Renesas Electronics America Inc.
Mô tả:
IC SRAM 4.5 MBIT cải cách hành chính 256CABGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Kích thước bộ nhớ:
4,5Mbit
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
song song
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
-
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
256-CABGA (17x17)
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Tần số đồng hồ:
200 MHz
Điện áp - Cung cấp:
2.4V ~ 2.6V
Thời gian truy cập:
3,4 ns
Bao bì / Vỏ:
256-LBGA
tổ chức bộ nhớ:
256K x 18
Nhiệt độ hoạt động:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Công nghệ:
SRAM - Cổng kép, đồng bộ
Số sản phẩm cơ bản:
70T3319
Định dạng bộ nhớ:
SRAM
Lời giới thiệu
SRAM - Cổng kép, bộ nhớ đồng bộ IC 4.5Mbit Song song 200 MHz 3.4 ns 256-CABGA (17x17)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: