M29F800FB55M3F2
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Bộ nhớ liên minh, Inc.
Mô tả:
IC FLASH 8MBIT 44SO
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Tình trạng sản phẩm:
Bị lỗi thời
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dây cắt (CT)
Digi-Reel®
Dòng:
Ô tô, AEC-Q100
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
55ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
44-SO
Loại bộ nhớ:
không bay hơi
Mfr:
Bộ nhớ liên minh, Inc.
Kích thước bộ nhớ:
8Mbit
Điện áp - Cung cấp:
4,5V ~ 5,5V
Thời gian truy cập:
55 giây
Bao bì / Vỏ:
44-SOIC (Chiều rộng 0,496", 12,60mm)
tổ chức bộ nhớ:
1M x 8, 512K x 16
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 125°C (TA)
Công nghệ:
FLASH - CŨNG KHÔNG
Số sản phẩm cơ bản:
M29F800
Định dạng bộ nhớ:
TỐC BIẾN
Lời giới thiệu
FLASH - IC bộ nhớ NOR 8Mbit 55 ns 44-SO
Sản phẩm liên quan
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: