70T651S10BFI
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Renesas Electronics America Inc.
Mô tả:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Thẻ
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
song song
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
10ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
208-CABGA (15x15)
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Kích thước bộ nhớ:
9Mbit
Điện áp - Cung cấp:
2.4V ~ 2.6V
Thời gian truy cập:
10 giây
Bao bì / Vỏ:
208-LFBGA
tổ chức bộ nhớ:
256K x 36
Nhiệt độ hoạt động:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Công nghệ:
SRAM - Cổng kép, không đồng bộ
Số sản phẩm cơ bản:
70T651
Định dạng bộ nhớ:
SRAM
Lời giới thiệu
SRAM - Cổng kép, bộ nhớ không đồng bộ IC 9Mbit song song 10 ns 208-CABGA (15x15)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: