Nhà > các sản phẩm > Ký ức > IS43LQ16128A-062TBLI

IS43LQ16128A-062TBLI

nhà sản xuất:
ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc
Mô tả:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC) Bộ nhớ Bộ nhớ
Kích thước bộ nhớ:
2Gbit
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Thẻ
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
LVSTL
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
-
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
200-TFBGA (10x14,5)
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
ISSI, Giải pháp Silicon tích hợp Inc
Tần số đồng hồ:
1,6 GHz
Điện áp - Cung cấp:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Bao bì / Vỏ:
200-TFBGA
tổ chức bộ nhớ:
128M x 16
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 95°C (TC)
Công nghệ:
SDRAM - LPDDR4 di động
Số sản phẩm cơ bản:
IS43LQ16128
Định dạng bộ nhớ:
DRAM
Lời giới thiệu
SDRAM - Bộ nhớ LPDDR4 di động IC 2Gbit LVSTL 1,6 GHz 200-TFBGA (10x14.5)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: