R1LV1616HSA-5SI#B1
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
RENESAS
Mô tả:
R1LV1616HSA - Nhiệt độ rộng R
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Tình trạng sản phẩm:
Bị lỗi thời
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Nhập xách
Dòng:
R1LV1616HSA-I
Giao diện bộ nhớ:
song song
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
55ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
48-TSOP I
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
RENESAS
Kích thước bộ nhớ:
16Mbit
Điện áp - Cung cấp:
2.7V ~ 3.6V
Bao bì / Vỏ:
48-TFSOP (0,724", Chiều rộng 18,40mm)
tổ chức bộ nhớ:
1M x 16, 2M x 8
Nhiệt độ hoạt động:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Công nghệ:
SRAM - Không đồng bộ
Thời gian truy cập:
55 giây
Định dạng bộ nhớ:
SRAM
Lời giới thiệu
SRAM - Bộ nhớ không đồng bộ IC 16Mbit Parallel 55 ns 48-TSOP I
Sản phẩm liên quan
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: