AS6C8016-55ZIN
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Bộ nhớ liên minh, Inc.
Mô tả:
IC SRAM 8 MBIT SONG SONG 44TSOP II
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Thẻ
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
song song
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
55ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
44-TSOP II
Loại bộ nhớ:
Bay hơi
Mfr:
Bộ nhớ liên minh, Inc.
Kích thước bộ nhớ:
8Mbit
Điện áp - Cung cấp:
2.7V ~ 5.5V
Thời gian truy cập:
55 giây
Bao bì / Vỏ:
44-TSOP (0.400", Chiều rộng 10.16mm)
tổ chức bộ nhớ:
512K x 16
Nhiệt độ hoạt động:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Công nghệ:
SRAM - Không đồng bộ
Số sản phẩm cơ bản:
AS6C8016
Định dạng bộ nhớ:
SRAM
Lời giới thiệu
SRAM - Bộ nhớ không đồng bộ IC 8Mbit song song 55 ns 44-TSOP II
Sản phẩm liên quan
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: