MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Công ty Công nghệ Micron
Mô tả:
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Kích thước bộ nhớ:
512Gbit
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Nhập xách
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
song song
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
-
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
132-VBGA (12x18)
Loại bộ nhớ:
không bay hơi
Mfr:
Công ty Công nghệ Micron
Tần số đồng hồ:
333 MHz
Điện áp - Cung cấp:
2,5V ~ 3,6V
Bao bì / Vỏ:
132-VBGA
tổ chức bộ nhớ:
64G x 8
Nhiệt độ hoạt động:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Công nghệ:
FLASH-NAND (TLC)
Số sản phẩm cơ bản:
MT29F512G08
Định dạng bộ nhớ:
TỐC BIẾN
Lời giới thiệu
Flash - NAND (TLC) Bộ nhớ IC 512Gbit song song 333 MHz 132-VBGA (12x18)
Sản phẩm liên quan
MT41K64M16TW-107 AIT:J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT2B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B5
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT53E256M32D2FW-046 WT:B
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
NT1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT40A2G8SA-062E NÓ:F
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT62F1G16D1DS-023 CNTT:B
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
| Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
|---|---|---|---|
|
|
MT41K64M16TW-107 AIT:J |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
MT2B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B5 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
|
|
|
MT53E256M32D2FW-046 WT:B |
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
|
|
|
|
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
|
|
|
|
MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
NT1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1N1 |
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
|
|
|
|
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
|
|
MT40A2G8SA-062E NÓ:F |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT62F1G16D1DS-023 CNTT:B |
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
|
|
|
|
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: