CY14B116M-BZ45XIT
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Mô tả:
IC NVSRAM 16MBIT cải cách hành chính 165FBGA
Nhóm:
Ký ức
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Các mạch tích hợp (IC)
Bộ nhớ
Bộ nhớ
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dòng:
-
DigiKey có thể lập trình:
Không xác minh
Giao diện bộ nhớ:
song song
Viết thời gian chu kỳ - Word, Trang:
45ns
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
165-FBGA (15x17)
Loại bộ nhớ:
không bay hơi
Mfr:
Công nghệ Infineon
Kích thước bộ nhớ:
16Mbit
Điện áp - Cung cấp:
2.7V ~ 3.6V
Thời gian truy cập:
45 giây
Bao bì / Vỏ:
165-LBGA
tổ chức bộ nhớ:
1M x 16
Nhiệt độ hoạt động:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Công nghệ:
NVSRAM (SRAM không bay hơi)
Số sản phẩm cơ bản:
CY14B116
Định dạng bộ nhớ:
NVSRAM
Lời giới thiệu
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Bộ nhớ IC 16Mbit Parallel 45 ns 165-FBGA (15x17)
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: